线性光放大器的宽带自发辐射噪声分析

摘要：

建立含有垂直光场(VCL)的线性光放大器(LOAs)稳态仿真模型,考虑了宽带噪声特性、端面反射和纵向空间烧孔效应.计算了在不同输入信号功率和垂直腔分布布喇格反射器(DBR)反射率下总的输出ASE噪声功率、噪声系数(NF)、前向和后向传输的ASE噪声光子速率和噪声谱分布的变化.结果表明,与传统光放大器(SOAs)相比,在增益非饱和区,LOA有很好的噪声钳制作用,ASE噪声几乎不随信号功率的改变而变化.在增益饱和区,破坏了VCL的钳制作用,NF有所上升,但上升的速率小于SOA.提高DBR反射率,总的输出ASE噪声功率减小,但NF有所增大.

关键词：线性光放大器、放大的自发辐射噪声、垂直光场、半导体光放大器

所属期刊栏目：28

分类号：TN929.11

资助基金：国家自然科学基金资助项目10174057,90201011;国家重点实验室开放课题资助项目2002KF;四川省应用基础科学研究资助项目03JY029-048-1

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：404-409