具有AlGaAs缓变结构的InGaP/GaAs HBT性能改进分析

摘要：

对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP/AlGaAs/GaAs HBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP/GaAs HBT的相应性能作了比较.结果表明:在低于30 nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP/GaAs HBT相比,改进型结构的InGaP/AlGaAs/GaAs HBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏-安输出特性和高频特性.

关键词：铟镓磷/砷化镓、异质结双极晶体管、伏-安输出特性、截止频率

所属期刊栏目：28

分类号：TN302(半导体技术)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：388-391