双层金属电极对硅功率晶体管结温的改善

摘要：

通过红外热相分析发现,在直流工作条件下,双层金属电极硅功率晶体管芯片比单层金属电极的结温低10℃以上;在微波工作条件下,双层金属电极芯片的结温比单层金属电极的低43.7℃.试验结果表明,双层金属电极能够改善硅微波功率晶体管芯片内微波输入功率和结温分布的均匀性.

关键词：微波、功率晶体管、结温、热阻

所属期刊栏目：28

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：383-387