GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

摘要：

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAsFET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性.在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键.

关键词：砷化镓微波功率场效应晶体管、砷化镓功率腰配高电子迁移率晶体管、可靠性、动态伏安特性

所属期刊栏目：28

分类号：TN72(基本电子电路)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：377-382