砷化镓0.25μm PHEMT开关模型研究

摘要：

借助于传统的FET等效电路模型.给出了0.25μmGaAs PHEMT的开关模型,并在ICCAP和ADS软件中,完成等效电路参数的提取与优化.通过对单刀单掷(SPST)开关的仿真和测试,表明,在0.1～20 GHz的频域内,其"开"态插入损耗误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于0.3 dB、0.24和0.19;其"关"态隔离度误差、端口1和端口2的电压驻波比误差分别小于1.9 dB、0.12和0.08.文中得到的PHEMT开关模型将有助于控制类单片集成电路的研究与开发.

关键词：砷化镓、庸配高电子迁移率晶体管、开关模型

所属期刊栏目：28

分类号：TN454(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：372-376