一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

摘要：

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz.芯片采用0.18 μm Mixed signal CMOS工艺实现.测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输人参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm.芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm.

关键词：混频器、开关跨导、噪声系数、三阶交调点

所属期刊栏目：28

分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家高科技研究发展计划资助项目2007AA012282

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：363-367