双沟道实空间转移晶体管(RSTT)的研制

摘要：

报道了在GaAs衬底上,采用8掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构.成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的"Λ"型负阻,I-V特性和较宽的平坦谷值区.具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤.器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨.

关键词：实空间转移晶体管、湿法腐蚀、磁控溅射、欧姆接触、合金、负阻、电子转移

所属期刊栏目：28

分类号：TN386.3(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究计划项目973批准号2002CB311905;国家自然科学基金资助项目批准号60536030

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：346-350