10.3969/j.issn.1000-3819.2008.03.005
AlGaN/GaN异质结构中的极化工程
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了AlGaN/GaN量子阱电子气密度随Al组份比、势垒层厚度和栅压的变化,比较了能带带阶和极化电荷对沟道阱能带和电子气特性的影响,研究了在势垒层和缓冲层中夹入AlN及InGaN薄层的作用,计算了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结的能带,最后探讨了势垒层能带的优化设计,提出了剪裁势垒层能带来钝化表面的新方法.
铝镓氮、氮化镓异质结、极化掺杂、能带剪裁、表面钝化新方案
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O484(固体物理学)
2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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