HfTiO氮化退火对MOS器件电特性的影响

摘要：

采用磁控溅射方法,在Si衬底上淀积HfTiO高k介质,研究了NO、N2O、NH2和N2不同气体退火对MOS电特性的影响.结果表明,由于NO氮化退火能形成类SiO2/si界面特性的HfTiSiON层,所制备的MOS器件表现出优良的电特性,即低的界面态密度、低的栅极漏电和高的可靠性.根据MOS器件栅介质(HfTioN/HfTi-SiON)物理厚度变化(△Tox)和电容等效厚度变化(△CET)与介质(HfTiON)介电常数的关系,求出在NO气氛中进行淀积后退火处理的HfTiON的介电常数达到28.

关键词：铪钛氧化物、高k栅介质、氮化、淀积后退火

所属期刊栏目：28

分类号：TN386-1;TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60376019;武汉理工大学新材料研究所材料复合新技术国家重点实验室开放基金WUT2006M02

在线出版日期：2008-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：330-333