期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3819.2008.03.003

磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响

引用
采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系.在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的各向异性以及外磁场对极化子能量的影响.结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响.极化子基态能量,结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga07N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此.在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定.

氯化物抛物量子阱、外磁场、电子-声子相互作用、极化子

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O471.1(半导体物理学)

国家自然科学资金项目批准号10364003;内蒙古师范大学青年资金项目QN07038

2008-12-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

325-329

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固体电子学研究与进展

1000-3819

32-1110/TN

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2008,28(3)

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