中红外GaInAsSb PIN多结光伏探测器设计与数值模拟

摘要：

从非平衡载流子的扩散-复合理论出发,提出PIN多结探测器材料结构,并建立了理论模型进行定量计算,从理论上解决了不能同时兼顾增大量子效率与光电增益和降低噪声的矛盾.利用该模型对GaInAsSb材料体系作了数值模拟,单结器件性能的计算值和实测值基本吻合,并根据多结器件模拟结果设计了工作于2.4 μm波段的GaInAsSb PIN多结材料结构.

关键词：镓铟砷锑、多结结构、数值模拟、探测器

所属期刊栏目：22

分类号：TN362(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划863-715-001-0152

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：114-119