PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

摘要：

设计出一种能与0.6 μm的标准低压CMOS工艺完全兼容的HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构,并提出了具体的工艺实现方法--单阱非外延工艺,该工艺能降低生产难度和成本.同时采用TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟,并用MEDICI对该结构的电流-电压和击穿等特性进行模拟.该结构的HV-CMOS应用于PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片,能在80 V、40 mA的工作要求下安全工作.

关键词：等离子平板显示驱动、高压CMOS、高/低压兼容、CMOS工艺、TSUPREM-4、MEDICI

所属期刊栏目：22

分类号：TN710;TN432(基本电子电路)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：72-77