手机用GaAs SPDT开关的全离子注入技术

摘要：

对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子注入隔离和器件制作的工艺方法先进、工艺简便、表面物理性能好、产品成本低、重复性和均匀性好、成品率高及器件性能优良.

关键词：离子注入、包封退火、双层介质

所属期刊栏目：22

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：49-52