微波功率GaAs MESFET本征元件与偏置关系分析

摘要：

提出了一种分析和了解微波功率GaAs MESFET非线性效应的方法.主要是采用解析优化方法,提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件,并结合器件的应用类型,对本征元件与偏置的关系进行了系统化的分析.分析的结论有助于提高微波功率GaAs MESFET器件设计和应用的准确性.

关键词：微波功率器件、本征元件、非线性模型

所属期刊栏目：22

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：38-44