期刊专题

10.3969/j.issn.1000-3819.2002.01.008

异质谷间转移电子器件工作模式的研究

引用
运用依赖能量的异质界面δ散射势和多能谷有效质量方程计算了GaAs/AlAs异质结构中的能带混合和电子隧穿共振.结合能带混合隧穿共振理论和Monte Carlo模拟计算,编制异质谷间转移电子器件的模拟软件.用该软件模拟了器件的直流伏安特性和射频工作.由模拟结果与测量结果的对比中确定出δ散射势参数和隧穿时间.通过模拟发现了新的弛豫振荡模式.研究了弛豫振荡模的各种振荡特性,给出了器件的优化设计.

能带混合隧穿共振、异质谷间转移电子器件、弛豫振荡模

22

TN387.1;TP391(半导体技术)

国家自然科学基金69676022

2004-01-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

32-37

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固体电子学研究与进展

1000-3819

32-1110/TN

22

2002,22(1)

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