注F短沟MOSFET的抗热载流子损伤特性

摘要：

研究了用注F工艺制作的短沟MOSFET的热载流子效应.实验结果表明,在栅介质中注入适量的F能够明显地减小由热载流子注入引起的阈电压漂移、跨导退化和输出特性的变化.分析讨论了F的抗热载流子损伤的机理.

关键词：氟、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、热载流子

所属期刊栏目：22

分类号：TN454;TN405.3(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-31,44