BRAQWET能带结构和优化设计参量

摘要：

对n型源区、p型势垒区和具有δ(p+)薄层势垒区的两种结构BRAQWET的能带模型,作了严格的定量分析,由此可以导出设计良好器件的优化参量.这是设计BRAQWET的理论基础.

关键词：BRAQWET、化合物半导体、光调制器、电光调制

所属期刊栏目：22

分类号：TN304.2+50.7(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金6937001;德国德意志科学联合会资助项目446CHV-113/74/0

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：25-28