凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET特性的影响

摘要：

为优化槽栅器件结构,提高槽栅MOSFET的性能和可靠性,文中用器件仿真软件对凹槽拐角对深亚微米槽栅PMOSFET的特性影响进行了研究.研究结果表明凹槽拐角强烈影响器件的特性:随着凹槽拐角的增大,阈值电压上升,电流驱动能力提高,而热载流子效应大大减弱,抗热载流子性能增强,热载流子可靠性获得提高;但凹槽拐角过大时(例如90°),器件特性变化有所不同.

关键词：槽栅P沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管、凹槽拐角、器件特性

所属期刊栏目：22

分类号：TN303.12(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：19-24，28