纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型

摘要：

论述了纵向对称双硅栅薄膜MOSFET的等电位近似模型的研究,通过对该器件建立泊松方程,并利用在阈值电压附近硅膜中的等电位近似,得到了这种对称双硅栅MOSFET器件的电流模型,并在不同参数下对该模型进行了模拟,最终得到Ids-Vg曲线.

关键词：双栅金属氧化物半导体场效应管、等电位近似、对称破

所属期刊栏目：22

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：14-18