全温区超薄基区SiGe HBT参数特性研究

摘要：

分析了不同温度下超薄基区SiGe HBT中载流子温度及扩散系数随基区结构参数的变化,并给出了实验比较.

关键词：硅锗、异质结双极晶体管、超薄基区

所属期刊栏目：22

分类号：TN322+.8(半导体技术)

在线出版日期：2004-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-7，18