Pt/Ga2O3/Nb:SrTiO3光电器件的自驱动光响应及阻变效应

摘要：

为了构筑光传感和阻变一体化光电器件,利用脉冲激光沉积法制备兼具稳定自驱动光响应和电致阻变特性的Pt/Ga2O3/Nb:SrTiO3光电器件,研究了器件的光响应机制与阻变机理.在0 V偏压下,器件具有快速的紫外光响应特性(τr/τd=60 ms/120 ms),峰值光响应度达13.4 mA/W(λ=250 nm).上述自驱动光响应被归因于Pt/Ga2O3界面形成的Schottky结内建电场对光生载流子的高效分离作用.同时,器件呈现稳定的双极性阻变行为,高/低阻值变换比约为104,通过施加不同的脉冲电压可实现多阻态间的快速切换,且具有良好的抗疲劳和保持特性.器件的多级阻变效应主要来源于载流子注入和氧空位陷阱中心束缚/解束缚对Schottky势垒的调控作用.以上研究对于开发新型Ga2O3基多功能光电器件具有指导意义.

关键词：宽禁带半导体、氧化镓薄膜、紫外光响应、电致阻变效应

所属期刊栏目：52

分类号：O469;TM23(真空电子学（电子物理学）)

资助基金：湖北省自然科学基金;湖北省教育厅青年人才项目;湖北民族大学青年科研项目;恩施州青年人才项目;国家自然科学基金

在线出版日期：2024-01-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：161-169