SnO2/SnSe2异质结构物理性能的第一性原理研究

摘要：

构建宽窄带隙同型异质结构的双层薄膜是提高透明导电薄膜光电性能的新思路.采用基于密度泛函的第一性原理,对本征和掺杂 SnO2/SnSe2 的电子结构、光学性质、载流子迁移率、电荷分布、能带排列进行计算.结果表明:本征和掺杂SnO2/SnSe2 电子结构内部存在的电势差会使体系内部的电子向着界面处或SnSe2 处转移,处于界面处的电子会在界面间隙内形成二维电子气并在界面处高速移动,从而提高了载流子的迁移率,而处于SnSe2 处的电子由于没有杂质离子散射的影响迁移率也相应提高,4 种不同掺杂类型异质结构的载流子迁移率分别为 772.82、5286.04、2656.90 m2/(S·V)和 17724.60 m2/(S·V),光学透过率在80%以上.

关键词：透明导电薄膜、异质结构、第一性原理、载流子迁移率

所属期刊栏目：51

分类号：O77(晶体缺陷)

资助基金：国家自然科学基金;泰山产业领军人才工程

在线出版日期：2023-10-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：2626-2633