10.14062/j.issn.0454-5648.20230090
g-C3N4纳米片的剥离制备方法研究进展
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种典型的sp2 π共轭体系聚合物半导体材料,具有多种独特的物理化学性质.但是,通过传统煅烧方式得到的g-C3N4 存在比表面积小、暴露的活性位点少、在水溶液中分散性差等问题,限制了其实际应用.与块状g-C3N4相比,通过不同剥离工艺得到的g-C3N4纳米片具有比表面积高、载流子路径短、活性位点丰富、带隙大等优点,在能源、催化、传感等领域受到了广泛的关注.g-C3N4在剥离制备过程中存在纳米片团聚、能耗高、耗时长以及产量低等缺点.因此,有必要开发绿色且具有成本效益的g-C3N4纳米片制备方法.本文详细综述了自上而下的液相剥离、化学剥离和热剥离法的剥离机理,并对比了3 种方法获得g-C3N4纳米片的结构、组成、片层厚度以及比表面积,同时介绍了其在光催化方面的应用进展,并对g-C3N4纳米片的进一步发展作出了展望.
石墨相氮化碳、剥离工艺、纳米片、光催化
51
TB321(工程材料学)
国家自然科学基金;国家自然科学基金;辽宁省教育厅基本科研项目;辽宁工程技术大学学科创新团队资助项目;辽宁工程技术大学学科创新团队资助项目
2023-07-31(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共15页
1868-1882