物理气相传输法SiC衬底上生长AlN单晶的研究进展

摘要：

氮化铝(AlN)是直接带隙半导体,具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率[3.2 W/(cm·K)]、高表面声波速率(VL= 10.13×105 cm/s,VT=6.3×105 cm/s)、高击穿场强和稳定的物理化学性能,是紫外/深紫外发光材料的理想衬底,由此制作的AlxGa1-xN材料,还可以实现200～365 nm波段内的连续发光;可以制作耐高压、耐高温、抗辐射和高频的电子器件,是具有巨大潜力的新一代半导体材料.本文介绍了物理气相传输法异质外延生长AlN单晶的原理,并从碳化硅(SiC)衬底上AlN单晶生长研究历程、AlN/SiC衬底生长AlN晶体以及偏晶向SiC衬底生长AlN晶体 3 个方面综述了SiC衬底上异质外延生长AlN晶体的研究进展.最后简述了SiC衬底上生长AlN单晶面临的挑战和机遇,展望了AlN材料的未来发展前景.

关键词：氮化铝单晶、碳化硅衬底、物理气相传输法、异质外延

所属期刊栏目：51

分类号：O78(晶体生长)

资助基金：山东省自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-07-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：1439-1449