10.14062/j.issn.0454-5648.20220972
导模法生长β-Ga2O3晶体中的小角晶界
β-Ga2O3作为最具发展潜力的超宽禁带半导体材料,其晶体缺陷方面还缺乏深入且全面的研究.面缺陷小角晶界主要存在于β-Ga2O3(100)晶面,会破坏晶体结构完整性,降低晶体质量.采用化学刻蚀法和透射电子显微镜技术对导模法生长β-Ga2O3 晶体中的小角晶界进行宏观分析和微观结构表征.研究表明:小角晶界两侧的刻蚀坑形状和朝向相同,晶界两侧的晶粒取向差约为3°,除此之外,小角晶界会使摇摆曲线出现肩峰及展宽,通过对β-Ga2O3晶体中小角晶界缺陷的微观结构进行表征,填补了小角晶界缺陷的研究空白.
导模法、β-氧化镓、小角晶界、摇摆曲线
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O77(晶体缺陷)
广东省重点领域研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金
2023-07-27(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
1406-1411