面向5G应用第3代半导体功率器件的高频低功耗MnZn铁氧体研究进展

摘要：

随着5G通信技术的发展和第3代宽禁带半导体广泛的商用,功率电子器件朝着高频化、小型化和高能效化的方向加速发展.MnZn铁氧体作为功率电子器件的核心材料,成为学术界和产业界在高频软磁材料方面研究的焦点.本综述主要介绍近年来MnZn铁氧体在高频化方向上最新的研究进展,包括通过主成分设计、添加剂调控和低温烧结工艺等手段,实现高频、宽温和低损耗等特性,以及高频下MnZn铁氧体损耗的应力敏感性.随着高频损耗发生机制研究的深入,今后5到10年内将会开发出更多的在0.5 MHz以上的高频和更高的磁通密度下表现出更低损耗的MnZn铁氧体新材料,并迅速应用于通信电源等领域.

关键词：软磁铁氧体、MnZn铁氧体、高频、功率损耗

所属期刊栏目：51

分类号：TB32;TB34(工程材料学)

资助基金：国家重点研发计划;国家自然科学基金

在线出版日期：2023-04-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：949-956