期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.20220911

基于第一性原理计算的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+长余辉材料持续发光机理

引用
长余辉材料应用广泛,但种类繁多、发光机理难以被普遍阐释.针对发光-余辉性能好的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+硅酸盐长余辉材料,构建Sr2MgSi2O7基质、Eu掺杂及(Eu,Dy)共掺杂Sr2MgSi2O7的分子模型,进行第一性原理计算.从电子结构角度解译电子跃迁俘获路径,并阐释Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的持续发光机理.结果表明:Eu、Dy离子的掺入使Sr2MgSi2O7由间接带隙半导体转变为直接带隙半导体;Dy 5d态主要位于Fermi能级与Eu 5d态之间,并与Eu 5d态存在能量重叠,这证实了Dy3+作为电子陷阱的合理性.Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+发光过程的揭示有助于后续光学性能的调控与提升.

硅酸镁锶长余辉材料、第一性原理计算、发光机理、电子跃迁俘获

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O482.31(固体物理学)

国家自然科学基金51978115

2023-03-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

775-782

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2023,51(3)

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