SiO2掺杂对ZnO-Pr6O11基压敏陶瓷电学性能的影响

摘要：

采用固相烧结法制备ZnO-Pr6O11-Co2O3-Cr2O3-Er2O3-SiO2压敏陶瓷,研究了 SiO2掺杂对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响.结果表明:SiO2具有抑制晶粒生长的作用,随着SiO2掺杂量增加,晶粒尺寸逐渐减小;SiO2掺杂量为1.0％(摩尔分数)时,ZnO压敏陶瓷的性能最好,生成的第二相物质最多,击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为最大,其值分别为435.5 V/mm,1.63 V,17.5,17 400 MΩ·cm和0.37 eV,漏电流最小为1 μA;与未掺杂SiO2的ZnO压敏陶瓷相比,击穿场强和非线性系数分别提高了 3.6倍和6.6倍.

关键词：氧化锌压敏陶瓷、二氧化硅掺杂、微观结构、压敏性能、阻抗性能

所属期刊栏目：50

分类号：TQ174

资助基金：国家自然科学基金51802183

在线出版日期：2023-02-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：3206-3211