化学作用对AlN晶体研磨过程中材料去除行为的影响

摘要：

AlN晶体是一种脆性难加工半导体材料.为了高效率高质量制备AlN晶体衬底,设计了不同化学成分的研磨液研磨AlN晶体,借助激光共聚焦显微镜和X射线光电子能谱仪研究了化学作用对晶体表面材料去除行为的影响.结果表明:碱性研磨液有利于获得最佳研磨结果,材料去除率为23μm/h,表面粗糙度为Ra为122 nm.在碱性环境下研磨液中金刚石磨粒具有良好的分散性.碱性溶液能够腐蚀晶体表面,形成含碱式铝盐的变质层,并引起表面形貌产生显著改变.研磨界面内,化学作用导致AlN晶体表面产生变质层,便于材料的机械去除,从而有利于提升研磨效率和研磨质量.研究结果可为AlN晶体超精密加工工艺优化提供参考.

关键词：氮化铝晶体、研磨、刻蚀、变质层

所属期刊栏目：50

分类号：O786;TN305.2(晶体生长)

资助基金：国家自然科学基金;江苏省产学研合作项目

在线出版日期：2022-10-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2470-2476