高熵(TiVTaMoW)C陶瓷与不同配副间的摩擦磨损特性

摘要：

为探究高熵碳化物陶瓷作为耐磨部件在摩擦学领域中的应用前景,以金属碳化物为原料,通过高能球磨和两步热压烧结法制备了一种元素分布均匀、无偏聚和偏析的高熵(TiVTaMoW)C陶瓷.研究了(TiVTaMoW)C与Al2O3、SiC和Si3N43种配副材料在室温及800℃条件下的摩擦磨损特性.结果表明:室温条件下,(TiVTaMoW)C与3种配副对摩均表现出优异的摩擦学性能,尤其与SiC对摩具有最低的摩擦系数和磨损率,分别可低至(0.38±0.01)和(1.52±0.36)×10–7 mm3/(N·m).800℃条件下,(TiVTaMoW)C表面氧化严重,磨损明显加剧,磨损率上升至10–4 mm3/(N·m)数量级.高温氧化生成的MoO3和V2O5具有较低剪切强度,摩擦过程转移至配副球接触面上形成转移膜,有效保护了配副材料的磨损.综合比较,SiC作为配副在室温和800℃条件下均表现出更优异的摩擦相容性.

关键词：高熵、碳化物、摩擦磨损、高温氧化

所属期刊栏目：50

分类号：TQ174.75

资助基金：国家自然科学基金;甘肃省重点研发计划;中国科学院“西部之光”人才培养引进计划

在线出版日期：2022-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共12页

页码：1463-1474