磁控溅射制备Cu2ZnSnS4薄膜太阳电池

摘要：

为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS2的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO2/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层.结果表明:SnO2以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS2层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu2ZnSnS4(CZTS)吸收层薄膜.最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm2,填充因子为39.28％,光电转换效率达到5.12％,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用.

关键词：铜锌锡硫、薄膜太阳电池、磁控溅射、二氧化锡靶、硫化工艺

所属期刊栏目：50

分类号：TM914.4+2

资助基金：国家自然科学基金61941401

在线出版日期：2022-05-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1257-1262