射频磁控溅射制备高In组分Al1-xInxN薄膜及其光学性能

摘要：

采用射频磁控溅射法,在硅和石英衬底上生长了高In组分Al1-xInxN薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见-红外分光光度计分别对Al1-xInxN薄膜的结构、形貌和光学带隙进行表征,并在室温下测量Al1-xInxN薄膜的光致发光(PL)谱.结果 表明:Al1-xInxN薄膜均呈(002)择优取向,具有单相纤锌矿结构,In组分为x=0.64-0.76.随着In组分升高,薄膜表面更加光滑,光学带隙值由1.93 eV红移至1.87 eV.In组分x=0.64,薄膜以本征发光为主,随着In组分增加,出现了附加的发光峰,这可归因于Moss-Burstein效应.

关键词：铝铟氮薄膜;择优取向;光致发光;Burstein-Moss效应

所属期刊栏目：49

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：辽宁省教育厅自然科学基金LG201910

在线出版日期：2021-11-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1970-1975