10.14062/j.issn.0454-5648.20200818
Zn2+掺杂SrAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能
采用传统固相反应法制备(Sr1-Znx)Al2Si2O8(x=0,0.005,0.010,0.030,0.060)微波介电陶瓷,探讨不同Zn2+取代量对SrAl2Si2O8(SAS)陶瓷晶体结构和微波介电性能的影响.将第一性原理引入到锶长石系微波介电陶瓷分析方法中,以确定取代元素(Zn2+)可能占据的位置(Sr2+,Al3+).结果 表明:Zn2+取代可促进SAS品质因数的提高(Q×f:37502~48252 GHz),同时也改善了SAS陶瓷样品的密度和谐振频率温度系数(τf).当x=0.010、烧结温度为1500℃时,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷获得最佳的介电性能:εr=7.0,Q×f=48252 GHz,τf=-36.35×10-6/℃.
低介电常数;锶长石;微波介电性能;晶体结构
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TQ174
国家自然科学基金;四川省科技厅重点研发项目;教育部春晖计划项目;四川省特种材料及制备技术重点实验室开放课题资助项目
2021-11-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共7页
1928-1934