热处理V膜制备VO2薄膜的结构和光电性能

摘要：

先用磁控溅射法在石英玻璃基片上制备了金属V膜,然后经过真空退火处理被转变为VO2薄膜.研究了退火温度对VO2薄膜表面形貌、晶体结构、光学性能和电学性能的影响.结果表明:随着退火温度由300℃增加到450℃,VO2薄膜的结晶度明显增加.退火温度在400℃和450℃制备的样品是高纯M相单斜结构,晶粒发育较好,晶界清晰.不同温度退火的样品的表面V元素包含由4+和5+态,5+态的出现是由于表面V元素受环境中氧化导致.虽然退火温度的改变对VO2薄膜的可见光透过率无明显影响,但是可以改善对太阳光的调节效率.VO2薄膜半导体-金属相变温度和半导体相的电阻随热处理温度增加而增加,在400℃和450℃退火样品电阻相变前后的变化幅度可达2个数量级,450℃退火制备样品的滞后宽度和半导体金属相变临界温度分别为14.6℃和61.0℃.

关键词：二氧化钒薄膜、磁控溅射、真空退火、半导体—金属相变

所属期刊栏目：49

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点研发计划政府间国际科技创新合作重点专项;国家自然科学基金面上项目

在线出版日期：2021-07-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1151-1156