无微管缺陷六英寸SiC单晶的制备

摘要：

SiC单晶衬底中的微管缺陷对SiC基器件是一种致命的缺陷,会严重影响SiC功率器件的成品率.基于物理气相传输(PVT)法,通过改进生长设计装配制备了绝对零微管缺陷6 in的n型4H-SiC单晶.从结晶学和动力学原理对改进生长设计装配消除微管的机理进行分析,阐明了单晶生长过程中微管分解和闭合的机制.采用的优化生长设计方案不仅有利于提高SiC单晶生长的稳定性,更可以提高SiC单晶的结晶质量,达到快速降低微管缺陷目的.所制备的无微管缺陷、大尺寸6 in n型4H-SiC单晶更加适合制作高压以及特高压功率器件.

关键词：微管缺陷、碳化硅单晶、微管闭合

所属期刊栏目：49

分类号：TB34(工程材料学)

资助基金：河北省科技计划;河北省重点研发计划

在线出版日期：2021-04-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：736-742