期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.20200584

填充方钴矿热电器件的结构优化设计与性能

引用
基于热电器件全参数设计模型,设计并制备了具有不同拓扑结构的填充方钴矿器件,通过器件仿真模拟结果与实验数据的比对和分析,解析器件结构、界面、连接工艺等对器件输出性能的影响并建立其定量关系;使用批量合成的n型Yb0.3Co4Sb12和p型CeFe3.85Mn0.65Sb12填充方钴矿材料制备的单级器件最大转换效率达到9.8%,输出功率密度达1.42 W/cm2.

热电器件、结构设计、填充方钴矿、转换效率

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TQ174

国家自然科学基金重点项目;中科院青年促进会项目

2021-03-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共9页

211-219

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2021,49(2)

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