高分子辅助沉积法制备钨掺杂的二氧化钒薄膜

摘要：

利用高分子辅助沉积法(PAD)制备出钨掺杂二氧化钒(VO2)薄膜.采用X射线衍射、光电子能谱、扫描电子显微镜、Raman光谱等表征技术对不同含量钨掺杂的VO2薄膜性能进行了研究.结果表明:利用PAD方法制备的VO2薄膜质量较好,且钨离子掺杂成功.同时Raman光谱显示,钨掺杂1.0％(摩尔分数)的薄膜在相变过程中出现M2相.电学测试结果显示,钨掺杂的VO2薄膜相变温度大幅下降,每掺杂0.3％(摩尔分数)的钨离子,相变温度下降10℃,且随着钨掺量的增加,VO2薄膜的热滞回线宽度减小.

关键词：二氧化钒、薄膜、掺杂、相变温度、热滞回线

所属期刊栏目：48

分类号：TQ135.11

资助基金：国家自然科学基金;"111"项目

在线出版日期：2020-07-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1074-1080