期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2019.08.19

HVO2薄膜相变的特性及热稳定性

引用
采用射频溅射磁控溅射技术在Ar+H2气氛下,以V2O5为溅射靶材在玻璃基片上制备了H掺杂VO2(HVO2)薄膜,研究了H2流量和退火处理对HVO2薄膜的结构、光电性能和热稳定性的影响.结果 表明:H2流量可以控制薄膜中H的含量,微量H的掺杂使HVO2薄膜相变温度降低到室温附近,过量的H掺杂会使薄膜处于金属态.当500℃下退火3h后,薄膜物相、相变等特征明显变化,此时薄膜中的H不能稳定存在于VO2晶格而溢出薄膜.当退火温度≤450℃、退火时间≤6h时,薄膜保持较高的稳定性,这为室温附近使用HVO2薄膜提供了基础.另外,随H2流量增加,薄膜的平均透射率小幅度增加,最终稳定在37%左右.随着退火温度的增加,未引入H2制备的VO2薄膜的平均透射率在400℃退火后为30.9%,在450和500℃退火后为35.8%左右.H2流量为0.1~0.5 mL/min时制备的样品在3种退火温度下的透射率均保持在38%左右.

氢掺杂二氧化钒、薄膜、相变温度、退火处理、溅射法、热稳定性

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TN304(半导体技术)

高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金SKL201110SIC

2019-09-18(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共8页

1167-1174

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2019,47(8)

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