Ag层沉积速率对SnO2/Ag/SnO2三层膜透明导电性能的影响

摘要：

以射频磁控溅射方法在两种沉积速率下(0.065和0.750 nm/s)制备单层Ag膜,研究了沉积速率对Ag膜结构的影响.以同样的两种速率制备Ag层,并变化Ag层厚度,研究了制备的SnO2/Ag/SnO23层膜的透明导电性能.结果发现:高速沉积的Ag膜晶粒粗大、表面粗糙度低,也即其结晶性更好且易于连续成膜,该结果很好地解释了当Ag层膜厚较薄时(<6 nm),高速沉积Ag层制备的SnO2/Ag/SnO23层膜表现出更高的品质因子.当Ag层膜厚较厚时(>6 nm),低速沉积Ag层制备的3层膜的品质因子更高,并且在Ag层厚度为8 nm时获得的最高的品质因子(4.73×10-2/Ω),大于Ag层高速沉积且膜厚为6 nm时,获得的最高品质因子(3.45×10-2/Ω),这可能与Ag层较厚时,粗糙表面的Ag层表现出更高的透光性有关.

关键词：氧化物/金属/氧化物3层膜、透明导电性、沉积速率、渗透阈值、品质因子

所属期刊栏目：47

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金课题P2014-06

在线出版日期：2019-07-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：900-907