冷等静压压强对激光选区烧结制备多孔SiC(w)/Si3N4陶瓷性能的影响

摘要：

利用激光选区烧结(SLS)技术制备多孔SiC(w)/Si3N4陶瓷素坯,对素坯进行冷等静压(CIP)处理以改善其性能,探索CIP压强对SLS制备的多孔SiC(w)/Si3N4陶瓷性能的影响.以Si3N4为原料,加入10％(质量分数)的SiC晶须,制备出适用于SLS的复合粉末,利用最佳SLS成型参数打印4组素坯,分别进行压强为100、150、200和250 MPa的CIP处理,经排胶及高温气氛烧结后得到多孔SiC(w)/Si3N4陶瓷.结果表明:随着CIP压强增大,素坯孔隙率减小,抗弯强度增大,而陶瓷的收缩率增大,孔隙率减小,抗弯强度增大.SiC(w)/Si3N4多孔陶瓷在250 MPa下性能最优,其Z方向收缩率、孔隙率和抗弯强度分别达到35.32％、41.19％和18.6 MPa.

关键词：氮化硅、碳化硅晶须、激光选区烧结、冷等静压、多孔陶瓷

所属期刊栏目：47

分类号：TB321(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金51605177;中央高校基本科研业务费专项资金2018KFYYXJJ030

在线出版日期：2019-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：782-788