退火温度对溅射法沉积Cu-Cr-O薄膜性能的影响

摘要：

使用CuCrO2陶瓷靶材,利用射频磁控溅射方法在石英衬底上沉积了Cu-Cr-O薄膜,研究了退火温度对Cu-Cr-O薄膜结构及光电性能的影响.X射线衍射分析显示,退火温度为973 K时薄膜即已晶化并形成单相铜铁矿结构CuCrO2,随着退火温度的升高,薄膜结晶性逐渐提高.紫外-可见光谱与电学性能测量结果表明:薄膜可见光透过率随退火温度升高呈上升趋势,电导率则呈下降趋势,在973～1273 K退火薄膜的可见光透过率最高为50％,电导率最高为0.12S/cm.扫描电子显微镜照片显示,Cu-Cr-O薄膜电导率的下降主要与退火产生的微裂纹有关.

关键词：铜-铬-氧薄膜、退火温度、薄膜结构、光电性能

所属期刊栏目：47

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金项目11762014;内蒙古科技大学科学研究项目ZY201808

在线出版日期：2019-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：55-61