期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2019.01.05

In:Yb:Nd:LiNbO3晶体的生长和光谱性能

引用
采用提拉法生长了0.4%(摩尔分数)Yb2O3,0.4%Nd2O3和(0.5%、1.0%、2.0%)In2O3的3种同成分In:Yb:Nd:LiNbO3晶体.测试了掺杂晶体的紫外-可见吸收光谱和上转换发射光谱,探究了最优掺杂晶体的上转换发光强度与激发功率的关系.结果表明:随着In:Yb:Nd:LiNbO3晶体中In3+浓度的增加,晶体的紫外吸收边分别位于349、340、和338 nm处.采用980 nm二极管激光器激发获得的上转换发射光谱表明,上转换绿光的发射光强度最强,其次为上转换红光的发射强度,中心波段分别位于562、726 nm处,对应于Nd3+的4G9/2→4I11/2跃迁及4G9/2→4I15/2跃迁.2%In:Yb:Nd:LN晶体上转换荧光发射性能最优.根据不同激发功率测试,Nd3+的近红外发光属于单光子过程,上转换红光及上转换绿光发光属于双光子过程.

铟镱钕共掺杂铌酸锂晶体、紫外-可见吸收光谱、上转换发射光谱、提拉法

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O462.1(真空电子学(电子物理学))

辽宁省联合基金项目201602374

2019-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2019,47(1)

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