SiC籽晶上生长AlN单晶的杂质组成及处理

摘要：

采用物理气相传输法在SiC异质籽晶上制备了AlN单晶.通过Raman光谱仪、X射线衍射仪、二次离子质谱仪和X射线光电子能谱研究了AlN单晶的结晶质量和杂质成分,针对不同的杂质成分提出了相应的处理方式.结果表明:C、O为AlN单晶中的主要杂质元素,其中C元素为非故意掺杂,与AlN单晶的生长环境密切相关,随着生长晶体厚度的增加,C杂质元素的含量逐渐降低.而O元素除了源粉和生长系统中吸附氧外,还与抛光过程中形成的氧化物层有关;经腐蚀和退火处理,AlN表面氧化物的含量大幅降低,N/Al摩尔比接近1;经杂质处理后的AlN单晶片可作为同质生长的籽晶.

关键词：氮化铝单晶、碳化硅籽晶、杂质组成、杂质处理

所属期刊栏目：47

分类号：TN304.2(半导体技术)

资助基金：国家重点研发计划项目2017YFB0404103;国家自然科学基金项目51702297;天津市第二批特支计划高层次创新创业团队支持项目

在线出版日期：2019-03-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：27-32