期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2018.09.18

金属-半导体-金属结构非极性a-AlGaN深紫外探测器的制备

引用
通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)高温外延生长的未掺杂非极性a-AlGaN半导体薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的深紫外光电探测器,研究了在a-AlGaN半导体薄膜表面磁控溅射不同时间的SiO2纳米颗粒对a-AlGaN MSM结构的深紫外探测器性能的影响.结果表明:5 V偏压下,探测器光谱响应峰值提高了大约3个数量级,深紫外近可见抑制比高达104,具有很好的深紫外特性,同时暗电流也下降了2~3个数量级,磁控溅射SiO2纳米颗粒提升了a-AlGaN MSM结构深紫外探测器性能.

深紫外探测器、二氧化硅纳米颗粒、非极性a面铝镓氮、金属-半导体-金属结构

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TN304.2(半导体技术)

浙江省教育厅科研项目Y201737504

2018-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

1304-1308

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2018,46(9)

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