10.14062/j.issn.0454-5648.2018.09.04
Ce掺杂CaBi8Ti7O27共生铋层状铁电陶瓷的结构与电学性能
采用固相法制备了CaBi8Ti7O27-xCe(CBT-BIT-xCe,x=0.00,0.02,0.04,0.06,0.08,0.10)共生铋层状结构陶瓷.利用X射线衍射、高分辨率透射电子显微镜、Raman光谱、介电谱、阻抗谱对其结构和电学性能进行表征.Ce主要是以Ce3+的形式占据类钙钛矿层的A位,也存在少量Ce4+进入B位.Ce掺杂导致陶瓷晶格畸变增加从而提升了Curie温度.在高温区域陶瓷的晶粒对电传导起主要作用,Ce掺杂使陶瓷电导活化能增加是因为氧空位浓度的减少,进而导致介电损耗tanδ 减小和压电常数d33的提升.CBT-BIT-0.06Ce陶瓷样品具有最佳电性能:Tc=746℃,d33=22 pC/N,tanδ=0.40%.
铈、共生铋层状结构、掺杂、电学性能
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TQ174
国家自然科学基金51762024,51602135,51562014,61671224;江西省自然科学基金20171BAB216012;江西省教育厅科技项目GJJ160894;江西省研究生创新专项基金YC2016-S377
2018-10-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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1203-1209