掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响

摘要：

二氧化锡(SnO2)是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料,掺杂可使其光电性能得到显著改善,拓展其应用领域.分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究.掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度,提高了薄膜的导电性.杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制.光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量,多元共掺杂是极具发展潜力的方法.

关键词：二氧化锡薄膜、掺杂、导电机制、散射机理、光电性能

所属期刊栏目：46

分类号：TB43(工业通用技术与设备)

资助基金：国家重点研发计划资助项目2016YFB0303902;河北省应用基础研究计划重点基础研究资助项目17961109D

在线出版日期：2018-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：590-597