N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算

摘要：

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,对本征6H-SiC和Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构及磁性进行了计算.计算结果表明:本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均没有磁性,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化.在N和Si空位共掺杂6H-SiC的结构中,Si空位近邻的C原子自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的.N和2个Si空位共掺杂6H-SiC的结构呈现反铁磁性.

关键词：稀磁半导体、电子结构、磁性、第一性原理、6H-碳化硅

所属期刊栏目：46

分类号：O472(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金项目21303041,51372027,51372026, 51372056,51172065;河南省自然科学基金162300410116

在线出版日期：2018-06-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：541-549