期刊专题

10.14062/j.issn.0454-5648.2018.01.08

不同粒径磨料对蓝宝石晶片及其抛光过程的影响

引用
采用不同粒径的W28和W7碳化硼(B4C)磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光.研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响.结果表明:W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大(Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm),表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小(Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm),无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度.

蓝宝石、碳化硼磨料、移除速率、损伤层、粗糙度

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O786(晶体生长)

吉林省科技厅创新项目20160414043GH

2018-01-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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硅酸盐学报

0454-5648

11-2310/TQ

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2018,46(1)

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