化学包覆法制备Ho3+掺杂钛酸钡基X8R细晶陶瓷

摘要：

采用化学包覆法将Ho2O3包覆在纳米级钛酸钡粉体表面,通过烧结将Ho3+扩散到钛酸钡晶粒中,调节其介电性能,研究了不同Ho3+掺杂量对BaTiO3基陶瓷相组成、微观结构和介电性能的影响.X射线衍射和扫描电子显微镜分析结果表明:Ho3+改性陶瓷样品均为赝立方相,Ho3+的加入能抑制晶粒生长,改善陶瓷微观结构,有利于制备均匀的细晶陶瓷.透射电子显微镜观察显示,包覆层的厚度约为2 nm,包覆Ho2O3有助于陶瓷烧结过程中形成"核-壳"结构晶粒,能显著改善钛酸钡基陶瓷的介电温度稳定性,提高绝缘电阻.当Ho3+掺杂量为2.0%时,陶瓷的相对介电常数为1612,ΔC/C(-55~150℃)<±15%,满足EIA X8R电容器的温度特性.

关键词：化学包覆法、氧化钬、钛酸钡、细晶陶瓷、"核—壳"结构

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分类号：TQ174.1

资助基金：国家自然科学基金委-广东省联合基金U1501246;国家自然科学基金51372042;广东省自然科学基金重大基础研究培育项目2015A030308004

在线出版日期：2017-10-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1265-1270