In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌

摘要：

采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi2Se3(Bi2–xInxSe3)单晶样品.研究了In掺杂对Bi2Se3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响.结果表明:在Bi2–xInxSe3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在.随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多.样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关.另外,Bi2–xInxSe3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大.

关键词：硒化铋单晶、掺杂、结构形貌、电输运性能

所属期刊栏目：45

分类号：TB3303(工程材料学)

资助基金：四川省科技厅应用基础研究项目2014JY0133;西华师范大学博士科研启动基金项目412577;国家青年科学基金项目51271155,51002125,51377138

在线出版日期：2017-08-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：961-967